EVE-150L型 高精度光刻机
2023年升级型 新款高精度光刻机
优点：分辨力、对准精度高，能量强，曝光效果明显，为较为先进性曝光设备，技术性能优于市场同期国内其它设备。
强烈推荐使用。
技术特征——非常适合高校科研教学（可靠性好，演示方便）和工厂生产（效率高，方便操作使用）
l 采用创新技术—积木错位蝇眼透镜平滑衍射效应和实现均匀照明；
l 采用三爪自动和球气浮同时找平，无论大片、小片调平精度均高；
l 具备真空接触曝光、硬接触曝、压力接触曝光，以及接近式曝光四种功能；
l 自动分离对准间隙和消除曝光间隙，间隙分离可达500μm；
l 高倍率双目双视场显微镜和22英寸宽屏液晶显示同时观察对准过程；既满足高精度对准，又可用于检测曝光结果；
l 电机机构、弹性元件和传感器保证接触曝光压力合适且重复性好；
l 曝光波长采用纯净365nm,冷光照明（曝光面能量40mW/cm，温度小于35度）；
l 对准完成，自动消除曝光间隙，无横向漂移且可通过监视器观察；
l 快门可以单独开启，也可以数字设定自动倒计时曝光（设定范围0.1s-999s）；
l 采用LED紫外直流光源，可调节光的能量密度；
l 设备外形美观精制，性能非常可靠；
l 上下片、版十分方便，自动化程度很高，操作简便。
四．技术参数
1、曝光类型：单面；
2、曝光面积：Ф150mm；
3、曝光照度均匀性：≥97%；
4、曝光强度：0～40mw/cm2可调；
5、紫外光束角：≤3°；
6、紫外光中心波长：365nm；
7、光源质保期：2年；
8、曝光分辨率：1μm；
9、曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光；
10、显微镜扫描范围：X：±15mm Y：±15mm；
11、对准范围：X、Y ±3mm；Q ±3°；
12、套刻精度：1μm；(用户的“版”、“片”精度必须符合国家规定，环境、温度、湿度、尘埃能得到严格控制，采用进口正性光刻胶，且匀胶厚度能得到严格控制，加之前后工艺先进)；
13、分离量；0～500μm可调；
14、接触－分离漂移：≤1μm；
15、曝光方式：密着曝光，可实现硬接触、软接触和微力接触曝光；
16、找平方式：三点式自动找平；
17、显微系统：双视场CCD系统，显微镜91X～570X连续变倍（物镜1.6X～10X连续变倍），双物镜距离可调范围42mm～100mm，计算机图像处理系统，19″液晶监视器；
18、掩模版尺寸： 178×178mm；
19、基片尺寸： 150mm；
20、基片厚度：≤5 mm（需分级，每级级差1mm）；
21、曝光定时：0～999秒可调；
22、对准精度：±0.5μm；
23、曝光头转位：气动；
24、电源：单相AC220V 50HZ ，功耗≤1KW；
25、洁净空气压力：≥0.4MPa；
26、真空度：-0.07MPa ~ -0.09MPa；
27. 尺寸和重量：
尺寸：机体1200 mm（长）×680 mm（宽）×1700mm（高）；
重量：≤200Kg。
技术性能若有改进升级等、熟不另行通知，以具体设备参数为准。